Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-4176144 N. Art. Produtt.:
IPP018N10N5XKSA1 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0017 ohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 205 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 375 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPP018N10N5XKSA1, 4176144, 417-6144 |
| | |
| |