TOSHIBA TK8P65W,RQ(S MOSFET, CANALE N, 650V, 7.8A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.55 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 7.8 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 80 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised