TOSHIBA TK560A65Y,S4X(S MOSFET, CANALE N, 650V, 7A, TO-220SIS

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.43 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220SIS Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 30 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)