TOSHIBA TK4A80E,S4X(S MOSFET, CANALE N, 800V, 4A, TO-220SIS

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 2.8 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220SIS Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 35 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised