TOSHIBA TK14E65W5,S1X(S MOSFET, CANALE N, 650V, 13.7A, TO-220

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.25 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 13.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 130 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised