TOSHIBA TK12P50W,RQ(S MOSFET, CANALE N, 500V, 11.5A, TO-252

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.265 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 11.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 100 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)