YAGEO XSEMI XP10C150M MOSFET, N & P-CH, 100V, 2.5A, SOIC

Tensione drain-source (Vds) canale N 100 V Corrente di drain continua (Id) canale P 2.5 A Gamma di prodotti XP10C150 Series Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 100 V Corrente di drain continua (Id) canale N 2.5 A Resistenza RdsON canale N 0.15 ohm Tipo di canale canale N e P Resistenza RdsON canale P 0.16 ohm Dissipazione di potenza canale N 2 W Dissipazione di potenza canale P 2 W Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni - Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)