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YAGEO XSEMI XP10TN028YT MOSFET, N-CH, 100V, 7.5A, PMPAK


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N. Articolo:
     8585-4168992
Produttore:
     YAGEO XSEMI
N. Art. Produtt.:
     XP10TN028YT
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.028 ohm Gamma di prodotti XP10TN028 Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 7.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor PMPAK Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 3.125 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP10TN028YT, 4168992, 416-8992
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