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YAGEO XSEMI XP10N3R8P MOSFET, N-CH, 100V, 132A, TO-220


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N. Articolo:
     8585-4168986
Produttore:
     YAGEO XSEMI
N. Art. Produtt.:
     XP10N3R8P
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.00388 ohm Gamma di prodotti XP10N3R8 Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 132 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP10N3R8P, 4168986, 416-8986
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