Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-4168984 N. Art. Produtt.:
XP10NA1R5TL EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0015 ohm Gamma di prodotti XP10NA1R5 Series Numero di pin 9 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 347 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TOLL Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 3.75 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP10NA1R5TL, 4168984, 416-8984 |
| | |
| |