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YAGEO XSEMI XP8NA2R2CXT MOSFET, N-CH, 80V, 168A, PMPAK


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N. Articolo:
     8585-4168983
Produttore:
     YAGEO XSEMI
N. Art. Produtt.:
     XP8NA2R2CXT
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0022 ohm Gamma di prodotti XP8NA2R2C Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor PMPAK Corrente Continua di Drain Id 168 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 5 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP8NA2R2CXT, 4168983, 416-8983
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