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YAGEO XSEMI XP6P250N MOSFET, P-CH, 60V, 1.6A, SOT-23S


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N. Articolo:
     8585-4168980
Produttore:
     YAGEO XSEMI
N. Art. Produtt.:
     XP6P250N
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.25 ohm Gamma di prodotti XP6P250N Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Stile di Case del Transistor SOT-23S Corrente Continua di Drain Id 1.6 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP6P250N, 4168980, 416-8980
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