Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-4168976 N. Art. Produtt.: XP6NA3R0H EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.003 ohm Gamma di prodotti XP6NA3R0 Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor TO-252 Corrente Continua di Drain Id 126 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 2 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP6NA3R0H, 4168976, 416-8976 |
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