Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-4168917 N. Art. Produtt.: XP2301GN EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.13 ohm Gamma di prodotti XP2301 Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Stile di Case del Transistor SOT-23 Corrente Continua di Drain Id 2.6 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.38 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.25 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP2301GN, 4168917, 416-8917 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | | In magazzino |
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