Informazioni sul prodotto | |
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| N. Articolo: 8585-4168908 N. Art. Produtt.: XP2306GN EAN/GTIN: n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.03 ohm Gamma di prodotti XP2306 Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Stile di Case del Transistor SOT-23 Corrente Continua di Drain Id 5.3 A Temperatura di esercizio max 150 °C Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.38 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1.25 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP2306GN, 4168908, 416-8908 |
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| | Riepilogo condizioni1 | | | | Tempi di consegna | Stato magazzino | Prezzo | | | | | | | In magazzino |
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