Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-4168905 N. Art. Produtt.: XP2322GN EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.09 ohm Gamma di prodotti XP2322 Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 2.5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SOT-23 Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 833 mW Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, YAGEO XSEMI, XP2322GN, 4168905, 416-8905 |
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