Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4134237 N. Art. Produtt.:
IPF042N10NF2SATMA1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0037 ohm Gamma di prodotti StronglRFET Series Numero di pin 7 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 139 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 167 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, INFINEON, IPF042N10NF2SATMA1, 4134237, 413-4237 |
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