INFINEON IPF023N08NF2SATMA1 MOSFET, CANALE N, 80V, 209A, TO-263

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.002 ohm Gamma di prodotti StronglRFET Series Numero di pin 7 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 209 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 214 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.8 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)