Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4134209 N. Art. Produtt.:
IPTG063N15NM5ATMA1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0051 ohm Gamma di prodotti OptiMOS Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 122 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor HSOG Tensione Drain Source Vds 150 V Dissipazione di potenza 214 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.6 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPTG063N15NM5ATMA1, 4134209, 413-4209 |
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