Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4125846 N. Art. Produtt.:
IQE006NE2LM5SCATMA1 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 490 µohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 310 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor SON Tensione Drain Source Vds 25 V Dissipazione di potenza 89 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (27-Jun-2018) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IQE006NE2LM5SCATMA1, 4125846, 412-5846 |
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