Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4079787 N. Art. Produtt.:
NTBG014N120M3P EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.014 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 7 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 104 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 227 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.63 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023) |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, ONSEMI, NTBG014N120M3P, 4079787, 407-9787 |
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