TOSHIBA TK110E65Z,S1X(S MOSFET, N-CH, 650V, 24A, TO-220

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.092 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 24 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 190 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)