Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-4014736 N. Art. Produtt.:
SQS141ELNW-T1_GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0074 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 101 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK 1212-8SLW Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 192 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SQS141ELNW-T1_GE3, 4014736, 401-4736 |
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| | | | | Stato magazzino: Magazzino 8585 | | Spedizione: Magazzino 8585 | | | | | | Valore dell'ordine | Spedizione | a partire da € 0,00* | € 14,99* | | a partire da € 85,00* | Franco domicilio |
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