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INFINEON FS55MR12W1M1HB11NPSA1 MOSFET, 1.2KV, 15A, MODULO


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N. Articolo:
     8585-3994941
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     FS55MR12W1M1HB11NPSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0529 ohm Gamma di prodotti EasyPACK CoolsiC Series Numero di pin 23 Pin Configurazione modulo MOSFET SixPack Tipo di canale sei canali N Corrente Continua di Drain Id 15 A Temperatura di esercizio max 125 °C Stile di Case del Transistor Module Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 20 mW Tensione di soglia Gate-Source massima 4.3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, INFINEON, FS55MR12W1M1HB11NPSA1, 3994941, 399-4941
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Driver gate MOSFET 1ED3122MC12HXUMA1, CMOS, 9 A, 3 → 15V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3122MC12HXUMA1
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Accessori
Driver gate MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS, 18 A, 5V, PG-DSO-8-66, 8-Pin
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3890MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3890MC12MXUMA1
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