VISHAY SQJ444EP-T1_GE3 MOSFET, CAN N, 40V, 60A, PWERPAK SO

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0026 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 60 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 68 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)