VISHAY SQD100N04-3M6_GE3 MOSFET, CANALE N, 40V, 100A, TO-252AA

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.003 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 100 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252AA Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 136 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2022)