Informazioni sul prodotto | ![](/p.gif) |
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| N. Articolo: 8585-3873728 N. Art. Produtt.: IPT008N06NM5LFATMA1 EAN/GTIN: n.d. |
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![](/p.gif) | Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 670 µohm Gamma di prodotti OptiMOS 5 Series Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 454 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor HSOF Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 278 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
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![](/p.gif) | Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPT008N06NM5LFATMA1, 3873728, 387-3728 |
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