TOSHIBA TK10P60W,RVQ(S MOSFET, CANALE N, 600V, 9.7A, TO-252

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.327 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 9.7 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 80 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.7 V