VISHAY SQJ180EP-T1_GE3 MOSFET, CANALE N, 80V, 248A, POWERPAK SO

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0025 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 8 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 248 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Tensione Drain Source Vds 80 V Dissipazione di potenza 500 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.7 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised