Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3773145 N. Art. Produtt.:
SQJ164ELP-T1_GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.009 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Gen IV Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 75 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO-8L Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 187 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (19-Jan-2021) |
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| Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, VISHAY, SQJ164ELP-T1_GE3, 3773145, 377-3145 |
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