VISHAY SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET, DUAL, CAN P, 30V, POWERPAK SO-8L

Tensione drain-source (Vds) canale N 30 V Corrente di drain continua (Id) canale P 30 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 4 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 30 V Corrente di drain continua (Id) canale N 30 A Resistenza RdsON canale N 0.014 ohm Tipo di canale canale P Resistenza RdsON canale P 0.014 ohm Dissipazione di potenza canale N 56 W Dissipazione di potenza canale P 56 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor PowerPAK SO Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)