Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
8585-3772854 N. Art. Produtt.:
SQ3419AEEV-T1_GE3 EAN/GTIN:
n.d. |
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| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.048 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 6.9 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TSOP Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 5 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised |
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| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, VISHAY, SQ3419AEEV-T1_GE3, 3772854, 377-2854 |
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