VISHAY SQW33N65EF-GE3 MOSFET, CAN N, 650V, 34A, 175°C, 375W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.095 ohm Gamma di prodotti E Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 34 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247AD Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 375 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) To Be Advised