Informazioni sul prodotto |  |
| |
| N. Articolo:
8585-3625303 N. Art. Produtt.:
IPDD60R055CFD7XTMA1 EAN/GTIN:
n.d. |
| | |
|
| | |
| Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.045 ohm Gamma di prodotti CoolMOS CFD7 Numero di pin 10 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 52 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor HDSOP Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 329 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) |
| | |
| | | |
| Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPDD60R055CFD7XTMA1, 3625303, 362-5303 |
| | |
| |