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INFINEON IPDD60R105CFD7XTMA1 MOSFET, CAN N, 600V, 31A, HDSOP


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Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N. Articolo:
     8585-3625300
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPDD60R105CFD7XTMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.088 ohm Gamma di prodotti CoolMOS CFD7 Numero di pin 10 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 31 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor HDSOP Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 198 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPDD60R105CFD7XTMA1, 3625300, 362-5300
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