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INFINEON IPW65R190CFD7AXKSA1 MOSFET, CAN N, 650V, 14A, TO-247


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N. Articolo:
     8585-3625294
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPW65R190CFD7AXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.159 ohm Gamma di prodotti CoolMOS CFD7A SJ Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 14 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 77 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, INFINEON, IPW65R190CFD7AXKSA1, 3625294, 362-5294
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