VISHAY SQ9945BEY-T1_GE3 MOSFET, CANALE N 60V, 6A, 175°C, 4W

Resistenza RdsON canale P 0.045 ohm Dissipazione di potenza canale N 4 W Tensione drain-source (Vds) canale N 60 V Corrente di drain continua (Id) canale P 6 A Gamma di prodotti TrenchFET Series Numero di pin 8 Pin Tensione drain-source (Vds) canale P 60 V Corrente di drain continua (Id) canale N 6 A Resistenza RdsON canale N 0.045 ohm Tipo di canale canale N Dissipazione di potenza canale P 4 W Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor SOIC Qualificazioni AEC-Q101 Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)