VISHAY SQD50N10-8M9L_GE3 MOSFET, CAN N, 100V, 50A, 175°C, 136W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0071 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 50 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252AA Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 136 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)