VISHAY SQD50N04-4M5L_GE3 MOSFET, CAN N, 40V, 50A, 175°C, 136W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.003 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 50 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-252AA Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 136 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)