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VISHAY SQM100P10-19L_GE3 MOSFET, CAN P, 100V, 93A, 175°C, 375W
Quantità:
pezzo
Informazioni sul prodotto
N. Articolo:
8585-3470662
Produttore:
Vishay
N. Art. Produtt.:
SQM100P10-19L_GE3
EAN/GTIN:
n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0155 ohm Gamma di prodotti TrenchFET Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale P Corrente Continua di Drain Id 93 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-263 (D2PAK) Tensione Drain Source Vds 100 V Dissipazione di potenza 375 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (19-Jan-2021)
... >
Semiconduttori - Discreti
>
Transistori a Effetto di Campo (FET)
>
MOSFET Singoli
Altri termini di ricerca:
Transistor di potenza
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MOSFET
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transistor a effetto campo
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(FET)
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Campo
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Discreti
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Effetto
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Semiconduttori
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Singoli
,
Transistori
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VISHAY
,
SQM100P10-19L_GE3
,
3470662
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347-0662
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