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STMICROELECTRONICS STP20NM50FD MOSFET, CAN N, 500V, 20A, 150°C, 192W


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N. Articolo:
     8585-3367070
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP20NM50FD
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.22 ohm Gamma di prodotti FDmesh Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220 Tensione Drain Source Vds 500 V Dissipazione di potenza 192 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (16-Jan-2020)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, STMICROELECTRONICS, STP20NM50FD, 3367070, 336-7070
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