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ROHM RUQ050N02HZGTR MOSFET, CAN N, 20V, 5A, 150°C, 1.25W


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N. Articolo:
     8585-3261746
Produttore:
     ROHM Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     RUQ050N02HZGTR
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 4.5 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.022 ohm Gamma di prodotti - Numero di pin 6 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TSMT Tensione Drain Source Vds 20 V Dissipazione di potenza 1.25 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 1 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, ROHM, RUQ050N02HZGTR, 3261746, 326-1746
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