ONSEMI FCD1300N80Z MOSFET, CANALE N, 800V, 4A, 150°C, 52W

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 1.05 ohm Gamma di prodotti SuperFET II Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 4 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 800 V Dissipazione di potenza 52 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)