ONSEMI NTMYS7D3N04CLTWG SINGLE MOSFET TRANSISTORS

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0061 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 52 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 38 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2018)