ONSEMI NTMYS2D4N04CTWG SINGLE MOSFET TRANSISTORS

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0019 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 138 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK Tensione Drain Source Vds 40 V Dissipazione di potenza 83 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023)