ONSEMI NTMYS014N06CLTWG SINGLE MOSFET TRANSISTORS

Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.0125 ohm Gamma di prodotti - Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 4 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 36 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor LFPAK Tensione Drain Source Vds 60 V Dissipazione di potenza 37 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 2 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) Lead (14-Jun-2023)