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INFINEON IMW120R090M1HXKSA1 MOSFET, CAN N, 1.2KV, 26A, 175°C, 115W


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N. Articolo:
     8585-3223679
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMW120R090M1HXKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 18 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.09 ohm Gamma di prodotti CoolSiC Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 26 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 115 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), INFINEON, IMW120R090M1HXKSA1, 3223679, 322-3679
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Driver gate MOSFET 1ED3241MC12HXUMA1, CMOS, 18 A, 5V, PG-DSO-8-66, 8-Pin
Infineon
1ED3241MC12HXUMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3125MU12FXUMA1, CMOS, 10 A, 35V, PG-DSO-8, 8-Pin
Infineon
1ED3125MU12FXUMA1
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Accessori
Modulo Driver gate 1ED3491MC12MXUMA1, 9 A, 6.5V, PG-DSO-16, 16-Pin
Infineon
1ED3491MC12MXUMA1
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