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INFINEON IMW120R045M1XKSA1 MOSFET, CAN N, 1,2KV, 52A, 175°C, 228W


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N. Articolo:
     8585-3155105
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IMW120R045M1XKSA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 15 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.045 ohm Gamma di prodotti CoolSiC Numero di pin 3 Pin Configurazione modulo MOSFET configurazione singola Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 52 A Temperatura di esercizio max 175 °C Stile di Case del Transistor TO-247 Tensione Drain Source Vds 1.2 kV Dissipazione di potenza 228 W Tensione di soglia Gate-Source massima 4.5 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Carburo, Discreti, Effetto, Moduli, Semiconduttori, Silicio,(SiC), Transistori, INFINEON, IMW120R045M1XKSA1, 3155105, 315-5105
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