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STMICROELECTRONICS STF28N65M2 MOSFET, CAN N, 650V, 20A, 150°C, 30W


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N. Articolo:
     8585-3132741
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STF28N65M2
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.15 ohm Gamma di prodotti MDmesh M2 Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore foro passante (THT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 20 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-220FP Tensione Drain Source Vds 650 V Dissipazione di potenza 30 W Qualificazioni - Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (15-Jan-2019)
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, STMICROELECTRONICS, STF28N65M2, 3132741, 313-2741
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