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STMICROELECTRONICS STD7ANM60N MOSFET, AEC-Q101, CA-N, 600V, 5A, 45W


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     8585-3132731
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STD7ANM60N
EAN/GTIN:
     n.d.
Scheda tecnica articolo
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tensione di test di Rds(on) 10 V Resistenza Drain-Source in conduzione 0.8 ohm Gamma di prodotti MDmesh II Livello di sensibilità all'umidità (MSL) MSL 1 - Non Limitata Numero di pin 3 Pin Montaggio Transistore montaggio superficiale (SMT) Tipo di canale canale N Corrente Continua di Drain Id 5 A Temperatura di esercizio max 150 °C Stile di Case del Transistor TO-252 (DPAK) Tensione Drain Source Vds 600 V Dissipazione di potenza 45 W Qualificazioni AEC-Q101 Tensione di soglia Gate-Source massima 3 V Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, (FET), Campo, Discreti, Effetto, Semiconduttori, Singoli, Transistori, STMICROELECTRONICS, STD7ANM60N, 3132731, 313-2731
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